A klasės paprastas tranzistorinis stiprintuvas

Dabar internete galite rasti daugybę įvairių stiprintuvų grandinių ant mikroschemų, daugiausia TDA serijos. Jie turi gana geras savybes, gerą efektyvumą ir nėra tokie brangūs, todėl yra tokie populiarūs. Tačiau tranzistoriniai stiprintuvai, jų fone, nepelnytai liko pamiršti, kurie, nors ir sunkiai sukonfigūruojami, yra ne mažiau įdomūs.

Stiprintuvo grandinė

Šiame straipsnyje mes apsvarstysime labai neįprasto stiprintuvo, veikiančio A klasėje ir turinčio tik 4 tranzistorius, surinkimo procesą. Šią schemą 1969 m. Sukūrė anglų inžinierius Johnas Linsley Hudas, nepaisant senatvės, iki šiol ji yra aktuali.
Skirtingai nuo stiprintuvų ant mikroschemų, tranzistoriniams stiprintuvams reikalingas kruopštus derinimas ir tranzistorių parinkimas. Ši schema nėra išimtis, nors atrodo nepaprastai paprasta. Tranzistorius VT1 - įvestis, PNP struktūra. Galite eksperimentuoti su įvairiais mažos galios PNP tranzistoriais, įskaitant germanį, pavyzdžiui, MP42. Tokie tranzistoriai kaip 2N3906, BC212, BC546, KT361 puikiai įrodė šioje grandinėje kaip VT1. Tranzistorius VT2 - čia tinka NPN struktūros, vidutinės ar mažos galios, KT801, KT630, KT602, 2N697, BD139, 2SC5707, 2SD2165. Ypatingas dėmesys turėtų būti skiriamas išėjimo tranzistoriams VT3 ir VT4, tiksliau, jų padidėjimui. Čia gerai tinka KT805, 2SC5200, 2N3055, 2SC5198. Būtina pasirinkti du identiškus tranzistorius, turinčius kuo artimesnį stiprinimą, tuo tarpu jis turėtų būti didesnis nei 120. Jei išėjimo tranzistorių padidėjimas yra mažesnis nei 120, tada vairuotojo etape (VT2) turi būti dedamas tranzistorius, turintis didelį stiprinimą (300 ar daugiau).

Stiprintuvo reitingai

Kai kurios grandinės vertės parenkamos atsižvelgiant į grandinės maitinimo įtampą ir atsparumą apkrovai, kai kurios galimos parinktys pateiktos lentelėje:
Nerekomenduojama padidinti maitinimo įtampos daugiau kaip 40 voltų, išėjimo tranzistoriai gali sugesti. A klasės stiprintuvų bruožas yra didelė tuščiosios srovės srovė ir dėl to stiprus tranzistorių kaitinimas. Pavyzdžiui, kai maitinimo įtampa yra 20 voltų, o ramybės būsena yra 1,5 amperų, ​​stiprintuvas sunaudoja 30 vatų, neatsižvelgiant į tai, ar signalas tiekiamas į jo įvestį, ar ne. Tokiu atveju kiekviename išėjimo tranzistoriuje bus išsklaidyta 15 vatų šilumos, ir tai yra mažo lituoklio galia! Todėl tranzistoriai VT3 ir VT4 turi būti montuojami ant didelio radiatoriaus, naudojant šiluminius tepalus.
Šis stiprintuvas yra linkęs į savaiminių sužadinimų atsiradimą, todėl jo išvestyje sumontuojama „Tsobel“ grandinė: 10 omų rezistorius ir 100 nF kondensatorius, sujungtas nuosekliai tarp žemės ir bendro išėjimo tranzistorių taško (ši schema diagramoje parodyta punktyrinėmis linijomis).
Kai pirmą kartą įjungiate stiprintuvą jo maitinimo laido tarpelyje, norėdami valdyti ramybės srovę, turite įjungti ampermetrą. Nors išėjimo tranzistoriai nėra sušilę iki darbinės temperatūros, jis gali šiek tiek plaukti, tai yra visiškai normalu. Be to, pirmą kartą įjungdami turite išmatuoti įtampą tarp išėjimo tranzistorių (VT4 kolektoriaus ir VT3 emiterio) bendro taško ir žemės, ten turėtų būti pusė maitinimo įtampos. Jei įtampa skiriasi aukštyn arba žemyn, turite susukti tiuningo rezistorių R2.

Stiprintuvo plokštė:

Plokštė gaminama LUT metodu.

Mano surinktas stiprintuvas

Keletas žodžių apie kondensatorius, įvestį ir išvestį. Įvesties kondensatoriaus talpa grandinėje žymima 0,1 μF, tačiau tokios talpos nepakanka. Kaip įvestį turėtumėte įdėti filmo kondensatorių, kurio talpa yra 0,68 - 1 μF, kitaip galimas nepageidaujamas žemų dažnių pjūvis. Išėjimo kondensatorius C5 turėtų būti imamas esant ne mažesnei nei maitinimo įtampa įtampai, ir jūs neturėtumėte godūs dėl savo talpos.
Šio stiprintuvo grandinės pranašumas yra tai, kad jis nekelia pavojaus garsiakalbių sistemos garsiakalbiams, nes garsiakalbis yra prijungtas per izoliacinį kondensatorių (C5), o tai reiškia, kad kai išvestyje atsiranda nuolatinė įtampa, pavyzdžiui, kai stiprintuvas sugenda, garsiakalbis lieka nepažeistas, galų gale, kondensatorius nepraleis nuolatinės įtampos.